半體曝光設(shè)備的應用

半導體曝光裝置用于包含MOS（金屬氧化物半導體）、FET（場效應晶體管）等半導體元件的IC（集成電路）的制造工序中的曝光工序。

在IC制造過程中，在硅晶片上依次重復光刻和蝕刻循環(huán)，并且在將氧化硅、金屬等層層壓并加工成預定圖案的過程中，半導體元件所需的特性被加工為執(zhí)行得如此，它已經(jīng) .例如，在n型MOS（NMOS）的情況下，在p型硅基板的柵極區(qū)域上形成氧化硅膜和柵極金屬，并且將高濃度的雜質(zhì)離子注入到漏極和源極中。這形成了n型（n+型）MOS。這一系列工序中的光刻工序和蝕刻工序如圖所示地構(gòu)成(成膜工序S1～抗蝕劑剝離工序S6)。 

其中，曝光工序(S3)使用半導體曝光裝置來進行。根據(jù)電路圖案的尺寸和半導體元件的 ，使用不同的 。

 關(guān)于EUV曝光設(shè)備

EUV（Extreme Ultraviolet的縮寫）曝光設(shè)備是一種使用被稱為極紫外光的極短波長光的半導體曝光設(shè)備。可以加工使用ArF準分子激光的傳統(tǒng)曝光設(shè)備難以加工的 細尺寸。

半導體小型化正在按照摩爾定律進行（半導體集成電路的高度集成度和功能將在三年內(nèi)提高四倍）。到目前為止，通過稱為步進器的縮小投影曝光技術(shù)、更短的曝光波長和浸沒式曝光技術(shù)的開發(fā)，分辨率已得到顯著提高。

小型化是指晶圓上可印刷的最小加工尺寸變得更小，最小加工尺寸R由下面的瑞利方程表示。
　R=k·λ/NA *k為比例常數(shù)，λ為曝光波長，NA為曝光光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑

通過各種技術(shù)的發(fā)展，通過減小k、減小λ和增大NA來實現(xiàn)小型化。
EUV曝光設(shè)備被認為是一種可以通過縮短曝光波長來克服以往限制的技術(shù)，近年來已實現(xiàn)量產(chǎn)。

關(guān)于半導體曝光設(shè)備的價格

半導體光刻設(shè)備目前對于半導體的高效量產(chǎn)來說是 的，但據(jù)稱它是  的機器，而且價格昂貴。

半導體曝光設(shè)備中使用的光源的波長越短，可以形成的圖案 并且曝光設(shè)備變得越昂貴。據(jù)稱每個波長的成本為i-line約4億日元、KrF約13億日元、ArF干式約20億日元、ArF浸沒式約60億日元、EUV約200億日元。

電路越小，可以實現(xiàn)越快的信號傳輸和節(jié)能，但近年來，由于小型化，無法忽視工藝成本的增加，包括半導體曝光設(shè)備的價格。

就半導體光刻設(shè)備所需的性能而言，從半導體制造的成本角度來看，半導體光刻設(shè)備的吞吐量也是一個重要指標。吞吐量是表示電路圖案曝光速度的性能，隨著吞吐量的增加，每個硅芯片的制造成本 降低。這在半導體芯片的大規(guī)模生產(chǎn)過程中非常重要。